2月10日，《金融时报》报道，由中国领先的存储芯片生产商长鑫存储，正与DeepSeek联手，迅速蚕食三星和 SK 海力士的市场份额，该公司还带领中国打入运行人工智能的关键组件——高带宽内存 (HBM)的市场。其“滚雪球式”增长威胁了韩国芯片的主导地位。
分析人士指出，自 2023 年以来，长鑫存储利用了美国出口管制的一个漏洞，使其能够使用美国先进的芯片制造设备来帮助生产其最尖端的芯片。该公司去年还被美国商务部从最新黑名单中删除，该名单禁止任何美国公司与其开展业务。兰德公司研究机构技术分析高级顾问 Jimmy Goodrich 表示：“即使是现在，仍不完全清楚 CXMT 是否受到任何限制。”
https://x.com/whyyoutouzhele/status/1888987137283887479?t=4d14c5waV4nLPj9UP2hjqA&s=35
分析人士指出，自 2023 年以来，长鑫存储利用了美国出口管制的一个漏洞，使其能够使用美国先进的芯片制造设备来帮助生产其最尖端的芯片。该公司去年还被美国商务部从最新黑名单中删除，该名单禁止任何美国公司与其开展业务。兰德公司研究机构技术分析高级顾问 Jimmy Goodrich 表示：“即使是现在，仍不完全清楚 CXMT 是否受到任何限制。”
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郑义和补充道:“这不是技术优势的问题,而是数量的问题,这意味着三星尤其受到供应过剩和芯片价格下跌的沉重打击。”
就在2016年,即CXMT成立的那一年,中国几乎还不具备自主生产Dram芯片的能力,这种芯片用于服务器、计算机和移动设备。
但到了2019年,在阿里巴巴和北京政府支持的“大基金”的投资下,该公司已开始大规模生产 DDR4芯片,这是当时最先进的Dram内存产品类别。
据咨询公司 SemiAnalysis 称,CXMT去年开始量产DDR5内存,该内存由SK Hynix于2020年首次商业化,是目前最先进的DRAM类别。
根据投资银行野村证券(Nomura)的报告,这家中国公司还在积极提高其 DDR4 产量,将产能从2022年的每月70,000片晶圆提高到2024年底的预计每月 200,000片,这足以确保全球DRAM市场的15%的份额。
这导致旧款 Dram芯片价格下跌,侵蚀了三星和SK海力士的利润率,并迫使这两家韩国公司退出低端市场。
上个月,三星表示,由于Dram和 Nand 产品增长有限,它将减少对传统内存半导体的投资。
该集团的营业利润在去年第三季度至第四季度之间下降了29%,而SK海力士上个月承认,中国Dram扩张导致其第四季度营业利润略低于分析师预期。
咨询公司 TechInsights 副主席 Dan Hutcheson 表示,尽管CXMT的全球市场份额仍然相对较小,且主要集中在中国,但其在高度商品化的Dram领域的快速发展正在产生“滚雪球效应”。
“市场份额越大,产量越大,收益率越高,成本越低,市场份额也越大,”哈奇森说。“上世纪80年代和90年代,韩国人正是通过这种方式将日本人挤出了内存领域,而现在,类似的事情也开始发生在他们身上。”