✨از ۴۰ نانومتر تا زیر ۱۰ نانومتر؛ برنامه ۱۰ ساله روس‌ها برای ساخت دستگاه لیتوگرافی EUV

📌  آکادمی علوم روسیه از نقشه راه بلندمدت خود برای توسعه ابزارهای لیتوگرافی EUV و دستیابی به استقلال در فناوری ساخت تراشه زیر ۱۰ نانومتر رونمایی کرد.

⚙️ رویکردی متفاوت بدون تقلید از ASML
محققان روسی به جای تقلید از معماری شرکت هلندی ASML، از فناوری‌هایی کاملاً جدید مانند پلاسمای زنون (به جای قطرات قلع) و طول موج غیرمتعارف ۱۱.۲ نانومتری با آینه‌های روتنیم/بریلیم استفاده خواهند کرد. این رویکرد  نیازمند توسعه آینه‌ها، ابزارهای صیقل‌کاری، اپتیک، منبع نور، منبع تغذیه و Photo Resistهای کاملاً جدیدی است.

📝 نقشه راه سه مرحله‌ای:
1️⃣ تا ۲۰۲۸: ساخت دستگاه لیتوگرافی ۴۰ نانومتری.
2️⃣ تا ۲۰۳۲: دستگاه ۲۸ نانومتری با پتانسیل رسیدن به ۱۴ نانومتر.
3️⃣ تا ۲۰۳۶: دستیابی به لیتوگرافی تراشه‌های زیر ۱۰ نانومتر.

🔺 به نظر می‌رسد هدف روسیه رقابت با غول‌های جهانی نیست، بلکه ارائه راهکاری اقتصادی برای تولید در مقیاس کوچک‌تر و تأمین نیاز مشتریانی است که به فناوری ASML دسترسی ندارند.

🔗 جزئیات بیشتر

➖Ellinne